搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置技術(shù)特性 

平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選  
1.極片間距可調(diào)范圍：≥15mm 
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm 
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz） 
4．測(cè)微桿分辨率：0.001mm

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述

GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器，測(cè)試頻率上限達(dá)到目前高的160MHz。   

  主要技術(shù)特性  
A Q 值測(cè)量范圍  2 ～ 1023 ，  B 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔     C 固有誤差  ≤ 5 ％ ± 滿(mǎn)度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz）     D 工作誤差  ≤7％ ±     E  滿(mǎn)度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ±     F  滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz）    

G  電感測(cè)量范圍  4.5nH ～ 140mH              H 電容直接測(cè)量范圍  1 ～ 200pF        I  主電容調(diào)節(jié)范圍  18 ～ 220pF  J 主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度  100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％       K 信號(hào)源頻率覆蓋范圍  100kHz ～ 160MHz        L 頻率分段 （ 虛擬 ）  100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz                  M 頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字 

 
電感：
 
線圈號(hào)    測(cè)試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH             
  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH