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              發(fā)布時(shí)間: 2025-08-13
產(chǎn)品型號(hào): gdat-a
廠(chǎng)商性質(zhì): 生產(chǎn)廠(chǎng)家
所 在 地: 北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號(hào)
產(chǎn)品特點(diǎn): 滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
儀器參數(shù)請(qǐng)往下看 測(cè)試步驟 ? 儀器參數(shù)
本儀器測(cè)試儀測(cè)試步驟如下:
儀器的測(cè)試準(zhǔn)備工作
先要詳細(xì)了解配用Q表的使用方法,操作時(shí),要避免人體感應(yīng)的影響。
a. 把配用的Q表主調(diào)諧電容置于較小電容量。
 
b. 把本測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端子上。
 
c. 配上和測(cè)試頻率相適應(yīng)的高Q值電感線(xiàn)圈(本公司 Q表配套使用的LKI-1電感組能滿(mǎn)足要求),           如:1MHz 時(shí)電感取250uH,15MHz時(shí)電感取1.5uH。
 
d. 短按ON/OFF按鍵,打開(kāi)液晶顯示屏。
 
e. 調(diào)節(jié)平板電容器測(cè)微桿,使平板電容器二極片相接為止,長(zhǎng)按SET按鍵將初始值設(shè)置為0。
4.介電常數(shù)Σ的測(cè)試
a. 再松開(kāi)二極片,把被測(cè)樣品插入二極片之間,調(diào)節(jié)平板電容器,到二極片夾住樣品止(注意調(diào)節(jié)時(shí)要用測(cè)微桿,以免夾得過(guò)緊或過(guò)松),這時(shí)能讀取的測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值,既是樣品的厚度D2。改變Q 表上的主調(diào)電容容量,使Q 表處于諧振點(diǎn)上。
b. 取出平板電容器中的樣品,這時(shí)Q 表又失諧,此時(shí)調(diào)節(jié)平板電容器,使Q 表再回到諧振點(diǎn)上,讀取測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為D4
c. 計(jì)算被測(cè)樣品的介電常數(shù):
                         Σ=D2 / D4
5.介質(zhì)損耗系數(shù)的測(cè)試
a. 重新把測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端上。把被測(cè)樣品插入二極片之間,改變Q 表上的主調(diào)電容容量,使Q 表處于諧振點(diǎn)上,讀得Q 值,記為Q2。電容讀數(shù)記為C2。
b. 取出平板電容器中的樣品,這時(shí)Q 表又失諧,再改變Q 表上的主調(diào)電容容量,使Q 表重新處于諧振點(diǎn)上。讀得Q 值,記為Q1。電容讀數(shù)記為C1。
c. 然后取下測(cè)試裝置,再改變Q 表上的主調(diào)電容容量,重新使之諧振,電容讀數(shù)記為C3,此時(shí)可計(jì)算得到測(cè)試裝置的電容為CZ = C3 -C1
d. 計(jì)算被測(cè)樣品的介質(zhì)損耗系數(shù)公式如下:
式中:CZ 為測(cè)試裝置的電容(平板電容器二極片間距為樣品的厚度D2)
                              C0 為測(cè)試電感的分布電容(參考LKI-1 電感組的分布電容值)
以下為儀器參數(shù)
滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
主要參數(shù):
電感測(cè)量范圍 4.5nH ~ 140mH 電容直接測(cè)量范圍1 ~ 200pF 主電容調(diào)節(jié)范圍 18 ~ 220pF主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度100pF 以下 ± 1pF ; 100pF 以上 ± 1 % 信號(hào)源頻率覆蓋范圍 100kHz ~ 160MHz 頻率分段 ( 虛擬 )
| 電感測(cè)量范圍 | 4.5nH ~ 140mH | 
| 電容直接測(cè)量范圍 | 1 ~ 200pF | 
| 主電容調(diào)節(jié)范圍 | 18 ~ 220pF | 
| 主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度 | 100pF 以下 ± 1pF ; 100pF 以上 ± 1 % | 
| 信號(hào)源頻率覆蓋范圍 | 100kHz ~ 160MHz | 
| 頻率分段 ( 虛擬 ) | 100 ~ 999.999kHz , 1 ~ 9.99999MHz, 10 ~ 99.9999MHz , 100 ~ 160MHz | 
| 頻率指示誤差 | 3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字 | 
  主要技術(shù)特性  
Q 值測(cè)量范圍  2 ~ 1023 , 量程分檔: 30 、 100 、 300 、 1000 ,自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔  
固有誤差  ≤ 5 % ± 滿(mǎn)度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ), ≤6% ± 滿(mǎn)度值的2%(10MHz~160MHz)  
工作誤差  ≤7% ± 滿(mǎn)度值的2% ( 200kHz ~ 10MHz ), ≤8% ± 滿(mǎn)度值的2%(10MHz~160MHz)
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置技術(shù)特性 :
| 平板電容器: | 極片尺寸:Φ50mm/Φ38mm 可選 | 
| 極片間距可調(diào)范圍: | ≥15mm | 
| 夾具插頭間距: | 25mm±0.01mm | 
| 夾具損耗正切值 | ≤4×10-4 (1MHz) | 
| 測(cè)微桿分辨率: | 0.001mm | 
電感:
線(xiàn)圈號(hào)    測(cè)試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH             
  1   25MHz,50MHz   233,211    0.9       0.125μH
 地址:北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號(hào)
地址:北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號(hào) 電話(huà): 010-66024083
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